觀察者網(wǎng)·大橘財經(jīng)訊（文/陳辰 編輯/尹哲）伴隨著半導(dǎo)體在國內(nèi)資本市場大熱，科創(chuàng)板又將迎來一位“芯考生”。

上海證券交易所官網(wǎng)顯示，近日東芯半導(dǎo)體股份有限公司（下稱“東芯半導(dǎo)體”）的科創(chuàng)板IPO申請已獲上市委會議通過，即將提交注冊。

該公司此次IPO擬募資總計7.5億元，用于1xnm閃存產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、車規(guī)級閃存產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)項目以及補充流動資金。

雖然距離IPO只差臨門一腳，但大橘財經(jīng)查閱其據(jù)招股書（上會稿）等資料發(fā)現(xiàn)：

報告期內(nèi)，東芯半導(dǎo)體存在盈利長期低迷、毛利率起伏波動較大、研發(fā)投入持續(xù)走低，以及對子公司、供應(yīng)商和海外市場依賴過高等經(jīng)營風(fēng)險。

不過，或許更重要的是，公司同時還存在關(guān)聯(lián)方離奇借款、“突擊入股”股東信批材料不實、核心技術(shù)人員信息矛盾及涉嫌利益輸送等相關(guān)問題。

基于此，成立七年以來，仍然游走在市場邊緣地帶的東芯半導(dǎo)體是否能依靠融資在行業(yè)突圍，恐怕還要打一個大大的問號。

盈利、毛利長期低迷

資料顯示，東芯半導(dǎo)體成立于2014年，聚焦于中小容量存儲芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，主要為客戶提供NAND、NOR、DRAM、MCP等存儲芯片。

東芯半導(dǎo)體串行NAND閃存

存儲芯片的重要性不言而喻。其與中央處理器、邏輯芯片和模擬芯片構(gòu)成“四大通用芯片”，可廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、工控和安防等領(lǐng)域。

從技術(shù)層面來看，存儲芯片可簡單分為DRAM和Flash（非易失存儲器），而Flash又分為NOR Flash和NAND Flash。其中，DRAM和NAND Flash約占存儲器絕大部分市場。

近年來，隨著全球DRAM、NAND Flash的需求進一步爆發(fā)，國內(nèi)外主要的存儲廠商紛紛退出了NOR Flash市場，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DRAM和NAND Flash業(yè)務(wù)。

但東芯半導(dǎo)體“劍走偏鋒”，主攻NOR Flash市場，同時輔以“全壘打”策略。因此，其成為國內(nèi)目前唯一同時具備NOR Flash、NAND Flash和DRAM存儲器產(chǎn)品的公司。

不過，受存儲芯片行業(yè)宏觀環(huán)境和供需關(guān)系影響，以及自身技術(shù)尚未成熟、產(chǎn)品利潤率低不且具備規(guī)模效應(yīng)等，東芯半導(dǎo)體的經(jīng)營盈利狀況持續(xù)低迷且波動較大。

圖自動芯半導(dǎo)體招股書（上會稿），下同

2018年至2020年（報告期內(nèi)），東芯半導(dǎo)體分別實現(xiàn)營業(yè)收入5.1億元、5.14億元、7.84億元，同期凈利潤則分別為-914.31萬元、-6249.29萬元、1407.66萬元。

不難發(fā)現(xiàn)，2019年東芯半導(dǎo)體發(fā)生大幅虧損。其中主要原因是：當(dāng)年全球半導(dǎo)體進入下行周期，存儲器價格大幅下降41%。而為獲得市場，公司選擇了加大價格讓利。

到了2020年，得益于市場行情回暖、部分大客戶銷售逐步放量，東芯半導(dǎo)體的經(jīng)營業(yè)績一改頹勢，同比增長達52.5%至7.84億元，而且首次實現(xiàn)了扭虧為盈。

不過，截至報告期末，東芯半導(dǎo)體母公司報表未分配利潤為-3719.65 萬元，合并報表中未分配利潤為-9175.58 萬元。因此，若上市后難以充分改善經(jīng)營，東芯半導(dǎo)體或?qū)⒃诙唐趦?nèi)無法向股東分紅。

另外，值得注意的是，由于主打低毛利、低容量的存儲芯片，東芯半導(dǎo)體的毛利率波動較大，報告期內(nèi)分別為22.28%、15.00%及22.01%。若與同行業(yè)公司對比，其產(chǎn)品毛利率也顯著低于行業(yè)平均水平。