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中芯國際的先進制程染指哪些領(lǐng)域？

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2019-09-19 15:30:03 字號：A- A A+ 來源：集微網(wǎng)

集微網(wǎng)消息（文/Oliver），9月19日，在2019中芯國際技術(shù)研討會上，中芯國際市場及海外銷售副總裁Kelvin Low表示，中芯國際的14nm FinFET工藝良率正不斷爬坡，產(chǎn)能也正成指數(shù)級增長。

Kelvin Low表示，在每一個工藝節(jié)點，中芯國際都在針對不同的應(yīng)用需求來推出不同IP產(chǎn)品，例如MCU、基站等橫向應(yīng)用領(lǐng)域。雖然MCU現(xiàn)在可能只會應(yīng)用到55nm和40nm工藝，但Kelvin透露，目前也有客戶在考慮采用FinFET技術(shù)，所以未來FinFET技術(shù)擁將有很大的市場。

目前，中芯國際的14nm已經(jīng)進入了客戶風(fēng)險量產(chǎn)階段，12nm也已經(jīng)進入了客戶導(dǎo)入階段。那么12nm相較于14nm有何提升呢？

Kelvin表示，中芯國際致力于幫助客戶打造低功耗、高性能的產(chǎn)品，而功耗的表現(xiàn)需要從多個維度去比較。具體來看，中芯國際的12nm相較于14nm能將芯片尺寸縮小10%，動態(tài)功耗降低10%，靜態(tài)功耗降低36%。

雖然射頻和車用電子目前還沒有用到先進工藝，但Kelvin認(rèn)為，除了MCU，這兩個領(lǐng)域很快也會使用到14nm和12nm，中芯國際從工藝到封裝都已經(jīng)做好了準(zhǔn)備。

趙海軍：兩年之內(nèi)必將出現(xiàn)電流計算的3nm技術(shù)

中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍博士在2019中芯國際技術(shù)研討會上講到，有好的設(shè)備中芯國際工藝也能很快的升級換代，因為器件并不需要更新。業(yè)界兩年之內(nèi)一定會出現(xiàn)3nm，但是是電流計算的3nm。

趙海軍博士表示，中芯國際要做快速跟隨者，要做第二梯隊的第一名。他指出，市場上主要有引領(lǐng)者、挑戰(zhàn)者、跟隨者和利基者四個角色，而中芯國際要做快速的跟隨者，要做第二梯隊的第一名。

關(guān)于集成電路代工產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，趙海軍指出，在智能手機的驅(qū)動下，由于當(dāng)今的工藝已經(jīng)不需要做新器件，所以基本能做到一年一代。也因此，如果有好的設(shè)備，中芯國際也能很快的升級換代。

另外，趙海軍還表示，業(yè)界兩年內(nèi)一定會會出現(xiàn)3nm工藝，因為他們已經(jīng)做得差不多了。不過3nm是電流計算的3nm。
標(biāo)簽中芯國際
- 原標(biāo)題：中芯國際的先進制程染指哪些領(lǐng)域？
- 責(zé)任編輯: 呂棟
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