【文/觀察者網(wǎng) 呂棟】

比三星晚了半年，全球芯片代工龍頭臺(tái)積電的3nm制程也終于官宣量產(chǎn)了。

12月29日上午，臺(tái)積電在臺(tái)灣島內(nèi)臺(tái)南科學(xué)園區(qū)舉辦“3nm量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮”，現(xiàn)場(chǎng)露面的除了臺(tái)積電高管，還有臺(tái)灣當(dāng)局“行政院”副院長(zhǎng)沈榮津、經(jīng)濟(jì)部門(mén)負(fù)責(zé)人王美花等一眾官員，以及應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體、ASML、東京威力科創(chuàng)等美歐日半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商。

不過(guò)耐人尋味的是，在臺(tái)媒的報(bào)道中并未見(jiàn)到蘋(píng)果、高通、英偉達(dá)、AMD等美國(guó)大客戶到場(chǎng)站臺(tái)，也讓現(xiàn)場(chǎng)缺了不少“歡呼聲”。就在不久前，庫(kù)克、黃仁勛、蘇姿豐等人曾集體到美國(guó)亞利桑那州為臺(tái)積電的機(jī)臺(tái)移入典禮捧場(chǎng)，稱(chēng)要以“實(shí)際行動(dòng)”支持“美國(guó)制造”。

回溯過(guò)往，臺(tái)積電7nm、5nm等重要節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)時(shí)都頗為低調(diào)，此次為何大張旗鼓舉辦典禮？另外，近期半導(dǎo)體市場(chǎng)需求疲軟，而先進(jìn)制程售價(jià)越來(lái)越高、性能升級(jí)逐步放緩，臺(tái)積電3nm制程能吸引來(lái)多少客戶分擔(dān)成本？搶先臺(tái)積電半年量產(chǎn)3nm的三星，現(xiàn)在狀況又如何了？

生產(chǎn)5nm和3nm制程芯片的臺(tái)積電晶圓18廠

罕見(jiàn)舉辦量產(chǎn)典禮，有何意味？

根據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音一早就到達(dá)典禮現(xiàn)場(chǎng)。他透露，3nm制程的良率，已經(jīng)和5nm量產(chǎn)同期的良率相當(dāng)，未來(lái)該制程將被應(yīng)用在超算、云計(jì)算、AR、VR等應(yīng)用當(dāng)中。

除了官宣3nm制程量產(chǎn)，臺(tái)積電還計(jì)劃在臺(tái)南進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)。劉德音表示，臺(tái)積電在當(dāng)?shù)氐耐顿Y總計(jì)達(dá)1.86萬(wàn)億新臺(tái)幣（約合人民幣4226億元），生產(chǎn)5nm和3nm的晶圓18廠第八期擴(kuò)產(chǎn)即將開(kāi)始，每期都包含大型潔凈室，且每期都是一般標(biāo)準(zhǔn)邏輯電路工廠的兩倍大。

7nm和5nm量產(chǎn)都沒(méi)有舉行典禮，臺(tái)積電為何要高調(diào)官宣3nm量產(chǎn)？島內(nèi)媒體解讀稱(chēng)，這一方面是想破除市場(chǎng)對(duì)臺(tái)積電“去臺(tái)化”的擔(dān)憂，臺(tái)積電希望在赴美日建廠之際，顯示出在島內(nèi)持續(xù)投資先進(jìn)制程的意圖；另一方面是想消彌良率不佳的傳言，提振低迷的半導(dǎo)體市場(chǎng)行情。

盡管劉德音稱(chēng)未來(lái)3nm“需求將非常強(qiáng)勁”，但臺(tái)積電當(dāng)下想說(shuō)服客戶下單3nm并不容易。

臺(tái)積電3nm量產(chǎn)典禮 圖源：臺(tái)媒

首先，上游消費(fèi)電子終端銷(xiāo)售不振，連帶全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)低迷。

以半導(dǎo)體重鎮(zhèn)韓國(guó)的數(shù)據(jù)為例，把11月算上，當(dāng)?shù)匦酒a(chǎn)量已連續(xù)4個(gè)月下滑，年減率高達(dá)15%，降幅創(chuàng)下2009年以來(lái)最高。與此同時(shí)，當(dāng)?shù)匦酒瑤?kù)存量呈現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)，11月更同比增長(zhǎng)20%。

另外，先進(jìn)制程的性?xún)r(jià)比在持續(xù)降低，外界不斷質(zhì)疑臺(tái)積電和三星在制程命名上玩文字游戲，晶體管密度并不符合摩爾定律的要求。根據(jù)第三方統(tǒng)計(jì)，三星3nm制程晶體管密度為1.7億顆/平方毫米，而英特爾7nm工藝（現(xiàn)已改名Intel 4）可達(dá)1.8億顆/平方毫米，可見(jiàn)三星3nm工藝的晶體管密度連英特爾的7nm都不如。

臺(tái)積電、三星、英特爾等廠商不同制程節(jié)點(diǎn)的晶體管密度對(duì)比 圖源：DigiTimes

據(jù)臺(tái)積電透露，相較于5nm制程，3nm制程的邏輯密度將增加約70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。而上一代5nm相較于7nm，邏輯密度增加高達(dá)1.8倍，相同功耗下速度增快約20%，相同速度下功耗降低約40%。

不難看出，3nm制程帶來(lái)的性能提升幅度，并沒(méi)有5nm那么大，但3nm制程的價(jià)格卻更貴了。島內(nèi)媒體上個(gè)月爆料，臺(tái)積電采用3nm制程的12英寸晶圓片單價(jià)已突破2萬(wàn)美元（約合人民幣14.3萬(wàn)元），相比7nm制程的價(jià)格翻倍，相比5nm制程漲幅也有25%。

臺(tái)積電晶圓代工價(jià)格不斷創(chuàng)新高

價(jià)格的漲幅超過(guò)性能的漲幅，下游廠商會(huì)輕易接受嗎？