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臺積電:5nm制程晶體管增加1.8倍,三星僅增2成
(觀察者網(wǎng)訊 文/呂棟)
10月21日,據(jù)臺灣《經(jīng)濟日報》報道,臺積電內(nèi)部消息稱,臺積電5納米制程試產(chǎn)結(jié)果顯示,晶體管數(shù)是7納米的1.8倍,而競爭對手三星卻僅增加二成,且臺積電功耗等芯片效能都超過競爭對手,制程工藝領(lǐng)先。
據(jù)報道,臺積電不愿透露有多少客戶采用5納米制程,但臺積電強調(diào),這項全數(shù)采用極紫外光(EUV)微影設(shè)備的制程,已兼具效能和成本等因素,客戶也預(yù)期將會有很好的銷售表現(xiàn),才會要求為其準備產(chǎn)能。
臺積電供應(yīng)鏈透露,臺積電5納米已吸引包括蘋果、超威、海思、高通、比特大陸等一線大廠,量產(chǎn)時間或?qū)⑻崆爸撩髂?月。
此外,5納米月產(chǎn)能已由原定的4.7萬片增至5.1萬片,P3廠決定加快建廠行程,并導入5納米強化版,月產(chǎn)能規(guī)劃近3萬片,使5納米月產(chǎn)能增至8萬片以上。
圖自臺媒
臺積電總裁魏哲家日前表示,臺積電7納米和5納米將會是明年營收增長主力,7納米營收占比第3季已達27%,本季將超越三成,全年占比25%,明年還會高于今年。至于5納米明年營收占比,暫不對外公布。
島內(nèi)業(yè)界解讀稱,臺積電押寶5納米,是希望借5納米完封三星。
臺積電日前發(fā)布會宣布,上調(diào)今年資本支出,由原訂上限110億美元,上調(diào)為140億至150億美元,為歷年來最大手筆,上修幅度達27.27%到40%,高于外資法人預(yù)期。
臺積電表示,這次大幅上調(diào)資本支出,主因是客戶需求超出原先預(yù)期,而且增加的40億美元資本支出,有25億美元用5納米,另外15億美元用于增加7納米產(chǎn)能。
面對臺積電來勢洶洶,韓國大廠三星也不甘于落后。
據(jù)韓媒報道,為達成2030年成為全球第一半導體大廠的目標,并超越臺積電,搶占未來2到3年的5G商用化所帶來的半導體市場需求,三星已向全球微影曝光設(shè)備大廠ASML訂購15臺先進EUV設(shè)備,價值3萬億韓元,約合181億人民幣,交付分三年進行。
三星電子自2005年進入晶圓代工領(lǐng)域,目前已經(jīng)7nm EUV技術(shù)已實現(xiàn)量產(chǎn)。三星計劃,6nm制程在2019年下半年開始量產(chǎn),5nm制程在2020年上半年量產(chǎn),3nm制程預(yù)計在2021年進入量產(chǎn)。
數(shù)據(jù)顯示,2019年Q3全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)臺積電以50.5%穩(wěn)坐第一,而近年努力發(fā)展先進制程的三星電子以18.5%的市占率位居第二,但三星很顯然不愿一直位居次席,一直在擴大半導體投資。
三星今年4月發(fā)布一項高達133萬億韓元的系統(tǒng)IC投資,其中60萬億韓元將用于晶圓代工設(shè)備投資。去年8月,三星曾發(fā)表3年180萬億韓元投資,其中90萬億到100萬億韓元將用于半導體設(shè)備。
業(yè)內(nèi)人士透露,為了超越臺積電,三星不僅會增加設(shè)備投資,還會通過提供技術(shù)競爭力來吸引客戶。
本文系觀察者網(wǎng)獨家稿件,未經(jīng)授權(quán),不得轉(zhuǎn)載。
標簽 臺積電- 責任編輯: 呂棟 
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