【文/觀察者網(wǎng) 呂棟 編輯/周遠(yuǎn)方】

3月29日，臺(tái)灣媒體《科技新報(bào)》曝出，中國(guó)大陸閃存芯片廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年正式打入蘋果iPhone供應(yīng)鏈。該報(bào)道還稱，從出貨時(shí)間來(lái)看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)應(yīng)該是為剛剛發(fā)布的新款iPhone SE供貨。

《科技新報(bào)》報(bào)道截圖

隨后觀察者網(wǎng)就此事聯(lián)系長(zhǎng)江存儲(chǔ)，該公司相關(guān)人士回復(fù)稱：不予置評(píng)。

CINNO Research 半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理Elvis Hsu告訴觀察者網(wǎng)，蘋果手機(jī)閃存現(xiàn)在的主要供應(yīng)商為韓國(guó)SK海力士和日本鎧俠。如果長(zhǎng)江存儲(chǔ)能夠打入蘋果供應(yīng)鏈，則意味著中國(guó)閃存技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)受到國(guó)際上的認(rèn)可與肯定。2022年，將是長(zhǎng)江存儲(chǔ)代表中國(guó)閃存技術(shù)突破并站上國(guó)際高端產(chǎn)品供應(yīng)鏈的元年。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢廠區(qū) 拍攝/觀察者網(wǎng) 呂棟

有外媒稱蘋果還在評(píng)估

觀察者網(wǎng)注意到，在《科技新報(bào)》之外，國(guó)外科技媒體Light Reading也在關(guān)注長(zhǎng)江存儲(chǔ)打入蘋果供應(yīng)鏈一事。不過該報(bào)道3月28日援引瑞信的報(bào)告稱，蘋果目前還在評(píng)估長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)品，通過后可能為即將上市的iPhone14提供閃存芯片。

“據(jù)我們所知，蘋果自2021年以來(lái)一直在努力改變其開發(fā)的NAND控制器的設(shè)計(jì)，以支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)品，”瑞信的報(bào)告稱，“然而控制器IC設(shè)計(jì)已被推遲，雖然目前還不清楚是否會(huì)采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)，但我們預(yù)計(jì)蘋果將在未來(lái)1-2個(gè)月內(nèi)決定?！?

Light Reading報(bào)道截圖

閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，即斷電數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失，因此也是最常見的存儲(chǔ)芯片。用最通俗易懂的話來(lái)說(shuō)，手機(jī)參數(shù)8G+128G中的128G指的就是閃存容量，電腦中的固態(tài)硬盤（SSD）也會(huì)用到閃存芯片。

由于三星、鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、美光等企業(yè)長(zhǎng)期在閃存市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位，蘋果之前也都是從這些美日韓廠商采購(gòu)閃存產(chǎn)品。但長(zhǎng)江存儲(chǔ)的出現(xiàn)，讓這個(gè)高度集中的市場(chǎng)出現(xiàn)一個(gè)中國(guó)大陸玩家。長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，總部位于武漢，是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)。

觀察者網(wǎng)注意到，日媒《日經(jīng)亞洲》早在2018年2月就曾報(bào)道過蘋果和長(zhǎng)江存儲(chǔ)洽談合作一事。當(dāng)時(shí)的報(bào)道稱，由于長(zhǎng)江存儲(chǔ)的閃存尚未量產(chǎn)，該公司可能要在2020年之后才能生產(chǎn)出符合蘋果要求的產(chǎn)品，“蘋果與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的交易將是中國(guó)科技發(fā)展的里程碑”。

但觀察者網(wǎng)專欄作者鐵流彼時(shí)撰文解讀稱，這場(chǎng)談判更像是蘋果的公關(guān)和宣傳。他認(rèn)為，在技術(shù)水平和產(chǎn)品成本相對(duì)于國(guó)外巨頭都存在差距的情況下，像蘋果這樣非常商業(yè)化的公司未必會(huì)犧牲自己的利益扶持中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商。但他也提到，在長(zhǎng)江存儲(chǔ)達(dá)到國(guó)外企業(yè)的水平后，蘋果向其采購(gòu)閃存芯片并非完全沒有可能。

隨著四年時(shí)間過去，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不僅實(shí)現(xiàn)中國(guó)首款64層3D NAND閃存量產(chǎn)，還在2020年跳級(jí)推出128層TLC/QLC兩款產(chǎn)品。2021年7月，有業(yè)內(nèi)人士告訴觀察者網(wǎng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層TLC閃存已量產(chǎn)，并且其首創(chuàng)Xtacking技術(shù)，不存在專利風(fēng)險(xiǎn)。

圖源：CFM閃存市場(chǎng)

CINNO Research半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理Elvis Hsu向觀察者網(wǎng)分析指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以其自研的閃存技術(shù)在2018年正式推出了Xtacking架構(gòu)3D閃存32層堆疊，僅用三年時(shí)間就研發(fā)出128層堆疊的3D QLC NAND閃存芯片，效率相當(dāng)高。

“與三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK海力士（4D PUC）現(xiàn)有的128層堆疊512Gb 3D TLC NAND閃存產(chǎn)品相比，長(zhǎng)江存儲(chǔ)裸片尺寸更小，這使得它擁有最高密度。樂觀期待長(zhǎng)江存儲(chǔ)繼續(xù)研發(fā)196-200層以上的技術(shù)超越日韓的技術(shù)發(fā)展，同時(shí)盡快完成產(chǎn)能的擴(kuò)充以取得更多市場(chǎng)份額?！盓lvis Hsu表示。